J.A.ウーラム RC2-U-Yk
装置概要
エリプソメトリーは偏光を用いた測定技術です。一般的にエリプソメトリーでは、試料表面からの反射光の偏光状態の変化が測定され、薄膜やバルク材料の解析に用いられます。
この測定から薄膜の膜厚(t)や光学定数(n,k)を求めることが出来ます。測定光が試料に入射すると、試料の各層と相互作用し、測定光の偏光状態は変化します。偏光状態の変化には、薄膜やバルク材料の情報が含まれていますので、それらの情報を得ることが出来ます。薄膜基板界面からの反射光が表面反射光と干渉することで薄膜の情報を得ることが出来ます。
設置場所
新館 305号室