イオンスパッタ装置

日立ハイテクノロジーズ E-1030

装置概要

ダイオード放電の一種であるマグネトロン電極構成を採用してしており、この方式ではターゲット(マイナス電極)にマグネットを組みこみ、ターゲットの表面に電界と直行する形で磁界を作ります。このため、電子はターゲット近くで螺旋運動をしながら、雰囲気ガスとの衝突を繰り返しますのでターゲットをスパッタするプラスイオンの密度を上げる結果となります。この働きにより、放電中の試料室圧力と放電電圧を低く抑えることが可能となり、反射イオンなどの高速粒子の入射による試料損傷が軽減されるとともに粒状性も高真空、低放電電圧の相乗効果でより一層高まります。また、試料室内の雰囲気ガス(残留ガス)は効率よくArガスに置換されますので、スパッタリング率が向上してコーティング処理する時間が短縮されます。

主な仕様
放電方式ダイオード放電マグネトロン形 (電場・磁場直行型)
ターゲットPt-Pd
Pt
Au
試料サイズ最大直径:55 mm
最大高さ:20 mm
設置場所

 旧館 B202